Фоторезист ФП-25

Фоторезист ФП-25 ТУ 2378-004-29135749-2007

Фоторезист ФП-25 - предназначается для создания фотолитографических процессов в производстве интегральных схем, полупроводниковых приборов, сеток, шкал, печатных плат. Данная модель является лучшим выбором из всей продукции представленной на рынке. Отличается тем, что не требует обработки поверхности для улучшения свойств адгезии. Именно высокой адгезией обладает ко всем металлическим и полупроводниковым поверхностям.

Больше всего известный и очень широко применяемый - это фоторезист ФП-25. Так же фоторезист может применятся в роле защитной маски по окиси кремния. Оформление заказа очень быстрое и займет минимум вашего времени! Вы можете стать нашим клиентом купив фоторезист ФП-25 и получить еще больше информации, мы так же можем помочь вам с выбором из ассортимента.

Этот продукт имеет замечательную светочувствительность и контраст. Может применяется для проекционной а так же контактной фотолитографии. Перед использованием необходимо прогреть поверхность перед нанесением фоторезиста фп-25 до температуры 200 градусов, прогревать рекомендуется не более 30 минут. Термообрабатывать следует в термошкафу при температуре 120 градусов, не более 20 минут.

Фоторезист ФП-25 предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.

ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ ФП-25

Наиболее известный отечественный толстослойный фоторезист ФП-25, который обеспечивает высококачественную защиту подложки в процессах глубинного и профильного травления германия и кремния до 100 мкм, а также при гальваническом осаждении металлов.

Фоторезист может быть использован, в качестве защитной маски по окиси кремния.

Модификация этого фоторезиста имеет высокий контраст и эластичность пленки, что позволяет с успехом использовать взамен импортного аналога SPR 220.

Рекомендации по применению

Подготовка поверхности:

Для удаления воды с поверхности подложку следует непосредственно перед нанесением фоторезиста прогреть при 200°С в течение 30 минут и охладить до комнатной температуры.

Условия применения

Нанесение:

Распределить 5-10 мл фоторезиста на поверхности и дать растечься в течение 10 сек максимум. Привести во вращение центрифугу. Центрифуга должна обеспечивать достижение скорости вращения 2000 об/мин максимум за 0,3 сек. Время центрифугирования составляет 100-120 сек.

Предварительная сушка:

Рекомендуются сушка в термошкафу конвекционного типа с принудительной вентиляцией при температуре 90°С, с контролем температуры в пределах +1°С. Время выдержки: 40 мин. На промышленных линиях фотолитографии следует подобрать скорость и температуру конвейера так, чтобы обеспечить условия, эквивалентные конвекционному термошкафу.

Экспонирование:

Экспонирование ультрафиолетовой лампой в диапазоне 350-450 нм. Время экспонирования: 90-120 сек при освещенности 45.000 +50.000 люкс.

Проявление:

Рекомендуется проявитель УПФ-1Б для максимального контроля над процессом.

Термообработка после проявления:

Рекомендуются термозадубливание в термошкафу конвекционного типа с принудительной вентиляцией при температуре 120 - 125°С. Время выдержки: 30 мин. Для более сильных травителей возможно повышение температуры задубливания до 140°С.

Удаление:

Для удаления пленки фоторезиста ФП-25 рекомендуется экологически безопасный сниматель СПР-01Ф или кислородная плазма.

Хранение:

Хранить в сухом помещении при температурах 10-21°С в закрытых коричневых стеклянных бутылках. Гарантийный срок хранения - 6 месяцев от даты розлива.